RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
52
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
3832
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link