RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
67
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
67
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
2042
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link