RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
52
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
2648
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905293-040.A00LF 1GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link