RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
52
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.2
1,479.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,226.4
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,479.2
18.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
590
3890
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link