RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
21.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
4047
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Elpida EBJ41UF8EDU0-DJ-F 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link