RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
3446
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link