RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
45
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
41
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2813
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link