RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,935.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2370
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link