RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2901
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link