RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2831
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link