RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
45
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
27
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
3963
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link