RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
3866
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link