RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
26
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
14
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
4182
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link