RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
66
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
66
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1877
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link