RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
67
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
67
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2030
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link