RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2989
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link