RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2191
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link