RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2829
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link