RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
50
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2393
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link