RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2900
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link