RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
54
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2511
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link