RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2562
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link