RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3594
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link