RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
5.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
5.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
1535
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link