RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
36
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
3052
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 9965525-054.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link