RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2559
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link