RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2676
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link