RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
52
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
52
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2472
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link