RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
40
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
40
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2254
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link