RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2711
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link