RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
42
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2181
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link