RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
56
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
4.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
56
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
7.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
4.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
1598
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link