RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
2633
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link