RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
36
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2481
3188
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link