RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
3055
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link