RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
37
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
2213
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link