RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
8.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
8.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
1842
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link