RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
12.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2014
2871
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link