RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
40
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
40
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2965
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link