RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
3033
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link