RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
35
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
35
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2246
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link