RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
27
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
3909
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link