RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
54
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2938
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link