RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
31
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2825
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link