RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2709
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link