RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
95
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
95
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
1518
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link