RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
32
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
32
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2831
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link