RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
3188
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link