RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2405
3045
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link