RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2405
3834
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GISL 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link